据悉尼康的曝光机采用增强型iAS设计，可用于高精度测量、圆形翘曲和畸变校正，重叠精度更高(MMO)，号称小于2.1 nm。
分辨率小于38 nm，镜头光圈1.35，曝光面积26x33。
与当前型号相比，其整体生产效率可提升10-15%，创下尼康光刻设备新高。每小时可生产280片晶圆，停工时间更短。
尼康还表示，在不牺牲生产效率的前提下，新型光刻机可以在要求高套刻精度的半导体制造中提供更高的性能，特别是在高级逻辑和存储器、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体制造中，是最佳解决方案。
另据了解新型光刻机的光源技术是自上世纪90年代就已经成熟的“i-line”。再加上相关零部件和技术的成熟，价格会比竞品便宜20-30%左右。
不过尼康光刻机能做出多少纳米的芯片还不清楚。
日本尼康、佳能、阿斯麦(阿斯麦)曾经是光刻机三巨头，但是因为技术树不对，没能跟上阿斯麦193 nm浸没光刻技术，尤其是EUV极紫外光刻技术。
为了生存，尼康和佳能基本放弃了对尖端光刻技术的争夺，更多地聚焦于难度更低、价格更低的成熟光刻设备。
但也不是都没用。例如，佳能开发了纳米压印技术(NIL)，可以在没有EUV的情况下制造5纳米芯片。
